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回收 吉时利2602B keithley 2602B 源表
欧阳R:13537229325

吉时利2602B 美国吉时利keithley源表SMU， MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 

详细说明
吉时利KEITHLEY2600B系列源表研究领域：
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
离散和无源元件 
–两抽头器件 传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件 小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等 
简单IC器件 光学器件、驱动器、开关、传感器
集成器件 小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC 
–射频集成电路（RFIC）
–专用集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
暂态 器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路
测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT